На сайті аналітичної компанії TrendForce опублікований прогноз, в якому названі 10 основних тенденцій, які, як очікується, будуть мати місце в різних сегментах галузі високих технологій у 2022 році.
Першою названа що триває розробка дисплеїв micro-LED і mini-LED. На думку аналітиків, «значна кількість технічних вузьких місць в розробці micro-LED все ще збережеться в 2022 році», через що витрати на виробництво дисплеїв цього типу «залишаться захмарними».
Аналітики впевнені, що «більш передова технологія AMOLED і камери під дисплеєм відкриють новий етап революції смартфонів». Очікується також, що роздрібні ціни на складні моделі будуть в межах цін на звичайні флагманські моделі, що призведе до зростання продажів.
У напівпровідниковому виробництві визначальним буде освоєння норм 3 нм. Компанія TSMC на цьому етапі продовжує робити ставку на технологію транзисторів FinFET, а Samsung перейде на GAA (так називається GAAFET в реалізації південнокорейського виробника).
Поступово почнеться масове виробництво пам’яті DDR5, а кількість шарів у флешпам’яті NAND перевищить 200.
Оператори мобільних мереж запустять більше пробних проєктів для сегментування мереж 5G SA і додатків з малою затримкою.
Супутникові оператори будуть конкурувати на ринку низькоорбітальних супутників, а 3GPP включить в стандарт Release 17 Protocol Coding Freeze «не наземні» мережі.
У той час як розумні фабрики одними з перших почали використовувати цифрових двійників, очікується, що технології інтернету речей стануть основою «метавселенной», яка представляється як «інтелектуальне, повне, безпечне зображення фізичного світу в реальному часі».
Виробники обладнання AR і VR будуть прагнути забезпечити повне занурення шляхом інтеграції додаткових датчиків і обробки даних по алгоритмах штучного інтелекту.
Бувши природним продовженням технології автономного водіння, автоматизованого парковання автомобілів стане важливою додатковою функцією висококласних транспортних засобів.
Стимулюється зростанням попиту на елементну базу для електромобілів напівпровідникова промисловість третього покоління буде рухатися до використання 200-міліметрових пластин SiC і GaN і до нових технологій корпусіровкі.